tensionat 

Física

Sembla que fa referència a un procés consistent a modificar l’estructura del silici d’acord amb l’estructura del germani, tal com es defineix en The Free Dictionary:

strained silicon

A technique that deposits silicon (Si) on top of silicon germanium (SiGe) for making transistors on a chip. In so doing, the silicon atoms are stretched ("strained") to line up with the silicon germanium atoms, which are wider apart. This causes less resistance in the silicon and increases performance. AmberWave Systems Corporation, Salem, NH (www.amberwave.com) is a pioneer in this technology. In 2003, IBM announced it could make strained silicon with silicon crystals instead of germanium, making it considerably easier to manufacture. See silicon germanium.

 


 
When the silicon is adhered to the silicon germanium, the silicon atoms are stretched.

Per tant, es tracta d’un tensament dels àtoms del silici. En castellà, la traducció més corrent és silicio tensado o tensado del silicio (per referir-se al procés per obtenir aquest tipus de silici). La forma tensionament, que pressuposa un verb tensionar derivat de tensió, no sembla necessària, ja que en aquest context vol dir el mateix que tensar. Per tant, la forma preferible en català és silici tensat i tensament del silici.

Context

En aquesta tecnologia també es va millorar el procés de tensionat tensament del silici i es va obtenir un valor del corrent de saturació dels transistors P (1,07 mA/μm) molt a prop del dels transistors N (1,36 mA/μm).

Universitat de Barcelona. Serveis Lingüístics
XHTML i CSS